Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

RS Best.-Nr.:: 812-3069
Herst. Teile-Nr.:: SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:: 812-3069
Herst. Teile-Nr.:: SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Si1330EDL, N-Channel 60V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	240 mA
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOT-323
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	280 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,4 nC @ 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	2.2mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

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