onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche PowerTrench-MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 69 W, 3-Pin FDD4141 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 809-0880
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD4141
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 8,26
(ohne MwSt.)
€ 9,91
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 850 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,826 | € 8,26 |
| 100 - 240 | € 0,712 | € 7,12 |
| 250 - 490 | € 0,617 | € 6,17 |
| 500 - 990 | € 0,542 | € 5,42 |
| 1000 + | € 0,493 | € 4,93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 809-0880
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD4141
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | PowerTrench-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ PowerTrench-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench P-Kanal8 A 69 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal4 A 69 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal8 A 2 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench P-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal7 A 52 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench P-Kanal4 W, 8-Pin SOIC
