onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 29 A 69 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-1700
Herst. Teile-Nr.:
FDD3860
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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