onsemi Isoliert PowerTrench, SyncFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 16 A 1.9 W, 8-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
806-3490
Herst. Teile-Nr.:
FDMC7208S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Länge

3mm

Breite

3 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor


Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.

Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)

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MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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