onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,24

(ohne MwSt.)

€ 7,49

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 3 185 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,248€ 6,24
50 - 95€ 1,076€ 5,38
100 - 495€ 0,934€ 4,67
500 - 995€ 0,82€ 4,10
1000 +€ 0,746€ 3,73

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0747
Distrelec-Artikelnummer:
304-43-728
Herst. Teile-Nr.:
FDS8949
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links

Recently viewed