Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert

RS Best.-Nr.:: 796-5156
Herst. Teile-Nr.:: TPH8R80ANH
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert

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Herst. Teile-Nr.:: TPH8R80ANH
Hersteller:: Toshiba

TPH8R80ANH, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	59 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TPH
Gehäusegröße	SOP erweitert
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	8,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	61 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.95mm

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