STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 30 A 75 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
792-5892
Herst. Teile-Nr.:
STL30N10F7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.4 mm

Länge

6.35mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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