onsemi MGSF2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.8 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 792-5675
- Herst. Teile-Nr.:
- MGSF2N02ELT1G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 6,02
(ohne MwSt.)
€ 7,22
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 320 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,301 | € 6,02 |
| 200 - 480 | € 0,259 | € 5,18 |
| 500 - 980 | € 0,226 | € 4,52 |
| 1000 - 1980 | € 0,198 | € 3,96 |
| 2000 + | € 0,181 | € 3,62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5675
- Herst. Teile-Nr.:
- MGSF2N02ELT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | MGSF2 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 115mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie MGSF2 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 115mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi MGSF2 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG2302UKQ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG2302UK Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ2361CES Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ2361CEES Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- International Rectifier IRLML2502 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
