Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 62.5 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

€ 8,40

(ohne MwSt.)

€ 10,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 45€ 1,68€ 8,40
50 - 245€ 1,426€ 7,13
250 - 495€ 1,178€ 5,89
500 - 1245€ 1,106€ 5,53
1250 +€ 1,042€ 5,21

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9373
Herst. Teile-Nr.:
SIRA06DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Durchlassspannung Vf

0.73V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links