Vishay D Series N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 787-9143
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD3N50D-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Alternative
Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
1 Stück (in Packung zu 5)
€ 0,81
(ohne MwSt.)
€ 0,97
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 787-9143
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD3N50D-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | D Series | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 104 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie D Series | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 104 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 2.38mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal 3-Pin SIHD3N50D-GE3 TO-252
- Vishay N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 500 V / 3 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi N-Kanal5 A 117 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 500 V / 5 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SQ Rugged N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SQ Rugged N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)