Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
145-1656
Herst. Teile-Nr.:
SIHD3N50D-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.38mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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