onsemi Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 880 mA 270 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 780-0614
- Herst. Teile-Nr.:
- NTJD4158CT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 880mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.65V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 880mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.65V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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