Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 120 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
772-5264P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ606-AZ
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

300 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

23 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

8.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

120 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

4.8mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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