Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 65 W, 4-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
772-5258P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ601-AZ
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

46 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

65 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

63 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

7mm

Länge

6.5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.3mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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