onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

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761-9840
Herst. Teile-Nr.:
FDN359AN
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.92mm

Breite

1.4 mm

Höhe

0.94mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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