onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-1833
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN359AN
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Höhe | 940μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.92mm | ||
Höhe 940μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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