STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 761-0051
Herst. Teile-Nr.:: STP18NM60N
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Hersteller:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.27 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	285 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	35 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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