STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7484
Herst. Teile-Nr.:: STP10NM60N
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP10NM60N
Hersteller:: STMicroelectronics

SRAM HM65768
STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N, N-channel 600V, 0.53 Ohm typ., 10A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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