STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Stock No.:
760-9673
Mfr. Part No.:
STP260N6F6
Brand:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6 mm

Höhe

15.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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