STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 860-7523
- Herst. Teile-Nr.:
- STH150N10F7-2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 7,30
(ohne MwSt.)
€ 8,76
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,65 | € 7,30 |
| 10 - 18 | € 3,46 | € 6,92 |
| 20 - 48 | € 3,12 | € 6,24 |
| 50 - 98 | € 2,81 | € 5,62 |
| 100 + | € 2,675 | € 5,35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 860-7523
- Herst. Teile-Nr.:
- STH150N10F7-2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics DeepGate Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics DeepGate Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 300 W, 3-Pin
- STMicroelectronics DeepGate Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics DeepGate Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics DeepGate Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics DeepGate THT MOSFET 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics DeepGate THT MOSFET Transistor 30 V / 75 A 60 W, 3-Pin TO-251