STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 760-9499
Herst. Teile-Nr.:: STB24NM60N
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Hersteller:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	46 nC @ 10 V
Länge	10.75mm
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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