onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 759-9475
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86102LZ
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 5,57
(ohne MwSt.)
€ 6,685
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 6 770 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,114 | € 5,57 |
| 50 - 95 | € 0,96 | € 4,80 |
| 100 - 495 | € 0,832 | € 4,16 |
| 500 - 995 | € 0,732 | € 3,66 |
| 1000 + | € 0,666 | € 3,33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9475
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86102LZ
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC86184 PQFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDD850N10L TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDD86102 TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDD3860 TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN