onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8983
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.572mm | |
| Länge | 9.98mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.572mm | ||
Länge 9.98mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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