onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
166-2543
Herst. Teile-Nr.:
FDB52N20TM
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

49mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

357W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

9.98mm

Breite

10.16 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.572mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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