onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 500 mA 300 mW, 6-Pin US

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739-0189
Herst. Teile-Nr.:
FDG6303N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

770mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.64nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Höhe

1mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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