onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
354-4941
Herst. Teile-Nr.:
FDC6303N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.64nC

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Digitale FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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