onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 0,66
(ohne MwSt.)
€ 0,79
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 205 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- 23 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 2 837 Einheit(en) mit Versand ab 04. März 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,66 |
| 10 - 99 | € 0,56 |
| 100 - 499 | € 0,49 |
| 500 - 999 | € 0,43 |
| 1000 + | € 0,40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 354-4941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6303N
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Digitale FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ P Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ P Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 510 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-563
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 6-Pin SOT-963
- onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2 6-Pin SOT-563