onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 0,66

(ohne MwSt.)

€ 0,79

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 23 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 2 837 Einheit(en) mit Versand ab 04. Februar 2026
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 0,66
10 - 99€ 0,56
100 - 499€ 0,49
500 - 999€ 0,43
1000 +€ 0,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
354-4941
Herst. Teile-Nr.:
FDC6303N
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.64nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Digitale FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links