Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 725-9325
Herst. Teile-Nr.:: IRLB8743PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 725-9325
Herst. Teile-Nr.:: IRLB8743PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	150 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.35V
Gate-Schwellenspannung min.	1.35V
Verlustleistung max.	140 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 4,5 V
Höhe	9.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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