Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 725-9325
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-308
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB8743PBF
- Hersteller:
- Infineon
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- 304-45-308
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB8743PBF
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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