Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 710-3364
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 710-3364
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A N
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4.3 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	58 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2000 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
Breite	4mm
Länge	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.55mm

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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