Vishay Si2325DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 710-3263
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2325DS-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 530mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | Si2325DS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 750mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 530mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie Si2325DS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 750mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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