Vishay Si2325DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -150 V / -530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 5,14

(ohne MwSt.)

€ 6,17

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 2 030 Einheit(en) mit Versand ab 03. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 1,028€ 5,14

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
710-3263
Herst. Teile-Nr.:
SI2325DS-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-530mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

-150V

Serie

Si2325DS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

750mW

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

1.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET der Serie Si2325DS von Vishay, -150 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,2 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – SI2325DS-T1-E3


Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Halbleitergerät, das für Hochspannungsschaltung und -steuerung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert als Enhancement-Modus-Transistor, der für Anwendungen geeignet ist, bei denen Verpolung oder High-Side-Schaltung erforderlich sind, und ist für eine geringe Verlustleistung in kleinen SOT-23-Gehäusen mit kleinem Formfaktor optimiert. Das Gerät arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich daher für vielfältige industrielle Elektronikumgebungen.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung unterstützt 150-V-Anwendungen • Drain-Source-Widerstand von 1,2 Ω reduziert Leitungsverluste • Der kontinuierliche Ablassstrom von -530 mA ermöglicht eine geringe Belastung • Typische Gate-Ladung von 7,7 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge • Die Verlustleistung von 750 mW begrenzt den Wärmeaufbau • Gate-Source-Spannungstoleranz von 20 V ermöglicht robuste Antriebsmargen

Anwendungen


• Geeignet für das Schalten von Hochspannungslasten in Automatisierungssystemen • Ideal für High-Side-Schaltung in Steuer- und Leistungsmodulen • Wird für den Verpolungsschutz in elektronischen Designs verwendet • Kann für Pegelverschiebungs-Gate-Treiber-Schaltkreise verwendet werden • Geeignet für kompakte Strommanagementplatinen in der Messtechnik

Was sind die thermischen Grenzwerte für einen zuverlässigen Betrieb?


Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in typischen industriellen Temperaturbereichen ermöglicht.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Board-Layout aus?


Das oberflächenmontierbare SOT-23-Gehäuse mit drei Stiften und kompakter Grundfläche unterstützt eine dichte Montage und eine einfache Wärmeübertragung durch Platzierung für das Wärmemanagement.

Welche elektrischen Einschränkungen sollten Konstrukteure für die Gate-Ansteuerung beachten?


Die Entwickler müssen die Gate-Source-Spannung innerhalb von ±20 V begrenzen, um die dielektrische Gate-Belastung zu vermeiden und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Wie sollten Überlegungen zur Verlustleistung die Kühlstrategie beeinflussen?


Mit einer Verlustleistung von 750 mW sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche oder einen Kühlkörper auf der Leiterplatte bereitstellen, um die Sperrschichttemperaturen unter Last aufrechtzuerhalten.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.