Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 1 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 8,65

(ohne MwSt.)

€ 10,375

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 225€ 0,346€ 8,65
250 - 600€ 0,339€ 8,48
625 - 1225€ 0,235€ 5,88
1250 - 2475€ 0,177€ 4,43
2500 +€ 0,152€ 3,80

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7719
Herst. Teile-Nr.:
SI2301CDS-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

112mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Breite

2.64 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 112 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat einen Dauerstrom von 3,1 A und eine maximale Verlustleistung von 1,6 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 2,5 V bzw. 4,5 V. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

Verwandte Links