Vishay IRFIZ48G N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 37 A 50 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 708-4799
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIZ48GPBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IRFIZ48G | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IRFIZ48G | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.8mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRFIZ48G von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 37 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFIZ48GPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit Durchgangsbohrung, das für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet mit mittlerer Spannung und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturtoleranz erfordern, während es in einem TO-220-Gehäuse montiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableitungsspannung von 60 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit moderater Spannung • 37 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromschaltungen • 18 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb • 50 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • Die typische Gate-Ladung von 110 nC bei Vgs sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten • Die maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht den Einsatz in heißen Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für die Motorantriebsstufe in Automatisierungssystemen • Ideal für Stromversorgungen und DC/DC-Wandler • Wird zum Austausch von Relais in industriellen Schalttafeln verwendet • Kann für Batteriemanagement- und Stromverteilungsschaltungen verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich bei der Entwicklung einhalten?
Die maximale Gate-zu-Quelle-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise diese nicht überschreiten dürfen, um Gerätebeschädigungen zu verhindern.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage- und Kühloptionen aus?
Das TO-220-Durchgangsbohrungsgehäuse mit drei Stiften ermöglicht eine verschraubte Kühlkörperbefestigung und eine einfache Leiterplattenmontage für eine verbesserte Wärmeleitung.
Welchen Temperaturbereich kann das Gerät im Betrieb vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit breiten thermischen Ausbreitungen.
Welche Schalteigenschaften beeinflussen die Antriebsanforderungen?
Die typische Gate-Ladung von 110 nC bei Vgs bestimmt den Antriebsstrom und die Treiberauswahl, um die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten zu erreichen.
Wie sollte ich Leistungsverluste im thermischen Design berücksichtigen?
Verwenden Sie die Nennleistung von 50 W für die Größe von Kühlkörpern und thermischen Schnittstellen, um die erwarteten Verluste durch Leitungs- und Schaltverluste für Steady-State-Bedingungen zu berechnen.
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