Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 18 A 88000 mW, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 708-4755
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 18 A 88000 mW, 3-Pin TO-220AB

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Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z34PBF
Hersteller:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	140 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	88000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 10 V
Länge	10.41mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.01mm

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 18 A 88000 mW, 3-Pin TO-220AB

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P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

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