Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 350 A 380 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 6,52

(ohne MwSt.)

€ 7,82

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 31 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 557 Einheit(en) mit Versand ab 06. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 6,52
10 - 24€ 6,19
25 - 49€ 6,07
50 - 99€ 5,66
100 +€ 5,29

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
688-6986
Distrelec-Artikelnummer:
302-84-051
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4004PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

220nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Breite

5.31 mm

Höhe

20.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links