onsemi Einfach QFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 53 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 671-5051
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP20N06
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V, +25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
QFET® N-Kanal-MOSFET, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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