onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 53 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 671-5051
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP20N06
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 5,57
(ohne MwSt.)
€ 6,685
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 5 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | € 1,114 | € 5,57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-5051
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP20N06
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
QFET® N-Kanal-MOSFET, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.