onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 2 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 671-1068
- Herst. Teile-Nr.:
- FQT5P10TF
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 3,64
(ohne MwSt.)
€ 4,37
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 14 555 Einheit(en) mit Versand ab 04. März 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,728 | € 3,64 |
| 50 - 95 | € 0,626 | € 3,13 |
| 100 - 495 | € 0,542 | € 2,71 |
| 500 - 995 | € 0,478 | € 2,39 |
| 1000 + | € 0,434 | € 2,17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-1068
- Herst. Teile-Nr.:
- FQT5P10TF
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 3.56 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 3.56 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMP10A18G Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
