onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 2 W, 4-Pin SOT-223

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 4,15

(ohne MwSt.)

€ 5,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 3 590 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 0,83€ 4,15
50 - 95€ 0,716€ 3,58
100 - 495€ 0,622€ 3,11
500 - 995€ 0,544€ 2,72
1000 +€ 0,496€ 2,48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-1062
Herst. Teile-Nr.:
FQT7N10LTF
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

QFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.6nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.56 mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links