onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
671-0321P
Herst. Teile-Nr.:
BSS123
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.93mm

Länge

2.92mm

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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