onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 671-1071
Herst. Teile-Nr.:: NDS0605
Hersteller:: onsemi

onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 671-1071
Herst. Teile-Nr.:: NDS0605
Hersteller:: onsemi

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	NDS0605
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	360mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.8nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.92mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.93mm
	Breite	1.3 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie NDS0605
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 360mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.92mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.93mm
	Breite 1.3 mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.