Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 66.6 A 65.7 W, 8-Pin 1212-8S

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*

€ 7,92

(ohne MwSt.)

€ 9,52

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 992 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
4 - 56€ 1,98€ 7,92
60 - 96€ 1,938€ 7,75
100 - 236€ 1,90€ 7,60
240 - 996€ 1,86€ 7,44
1000 +€ 1,818€ 7,27

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
280-0003
Herst. Teile-Nr.:
SISS5808DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

1212-8S

Serie

SISS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00745Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links