Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 66.6 A 65.7 W, 8-Pin 1212-8S

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
280-0003
Herst. Teile-Nr.:
SISS5808DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00745Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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