Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 34.4 A 26.5 W, 8-Pin 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9984
- Herst. Teile-Nr.:
- SISH107DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.014Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.014Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
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