Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 34.4 A 26.5 W, 8-Pin 1212-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 6,52

(ohne MwSt.)

€ 7,82

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,652€ 6,52
50 - 90€ 0,484€ 4,84
100 - 240€ 0,431€ 4,31
250 - 990€ 0,421€ 4,21
1000 +€ 0,413€ 4,13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9984
Herst. Teile-Nr.:
SISH107DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

1212-8

Serie

SISH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.014Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

26.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

Verwandte Links