Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 3.930,00

(ohne MwSt.)

€ 4.710,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 1,31€ 3.930,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9957
Herst. Teile-Nr.:
SIR638ADP-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiR

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

165nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links