Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 124 A 57 W, 8-Pin 1212-F

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RS Best.-Nr.:
735-203
Herst. Teile-Nr.:
SISD4402DN-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

124A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

1212-F

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0031Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.3mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Leistungsumwandlung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt. Er gewährleistet eine robuste Leistung mit umfassenden Tests bei gleichzeitiger Einhaltung von Umweltstandards. Seine Vielseitigkeit macht ihn ideal für Anwendungen, die eine zuverlässige Gleichrichtung, kompakte DC/DC-Lösungen und eine präzise Motorsteuerung erfordern.

Bietet 100 % Rg- und UIS-Tests für bewährte Zuverlässigkeit

Gewährleistet RoHS-Konformität für Umweltsicherheit

Halogenfreie Konstruktion für umweltfreundliches Design

Unterstützt synchrone Gleichrichtung für effiziente Stromumwandlung

Ermöglicht die Steuerung des Motorantriebs mit zuverlässiger Schaltleistung

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