Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 279-9927
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP155N60EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.157Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.157Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP155N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Transistor, der für Hochspannungs-Schalt- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für herkömmliche Kühlkörper und Schalttafelmontage geeignet ist. Das Gerät ist für Ingenieure gedacht, die einen robusten Halbleiter für diskrete Leistungsstufen und Schalttopologien benötigen, bei denen eine Kombination aus Spannungsfähigkeit und thermischer Beständigkeit erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0,157 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine höhere thermische Belastung
• 38 nC typische Gate-Ladung für handhabbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt breite Gate-Drive-Spannungen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0,157 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine höhere thermische Belastung
• 38 nC typische Gate-Ladung für handhabbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Toleranz unterstützt breite Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Netz- und Hochspannungs-Wechselrichterschalter
• Wird mit Stromversorgungen verwendet, die eine robuste thermische Spanne erfordern
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Kann für DC/DC-Wandler mit Hochspannungsschienen verwendet werden
• Wird für allgemeine Schaltvorgänge in der Leistungselektronik verwendet
• Wird mit Stromversorgungen verwendet, die eine robuste thermische Spanne erfordern
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Kann für DC/DC-Wandler mit Hochspannungsschienen verwendet werden
• Wird für allgemeine Schaltvorgänge in der Leistungselektronik verwendet
Welchen Umgebungstemperaturen kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Wie nützlich ist das Gehäuse für das Wärmemanagement?
Das TO-220AB-Format bietet eine Metalllasche zur direkten Befestigung an Kühlkörpern, wodurch die Wärmeübertragung für eine hohe Ableitung verbessert wird.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Treiber auf diesen Wert begrenzt werden sollten, um Überlastungen zu vermeiden.
Entspricht das Gerät den gängigen Materialbeschränkungen?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und beschränkt bestimmte gefährliche Stoffe in seiner Konstruktion.
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