Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 279-9908
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF085N60EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 13 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHF085N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und die Steuerungsstufen in Durchsteckmontagen vorgesehen ist. Er ist für hohe Drain-Source-Spannungen ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für anspruchsvolle elektronische Systeme eignet, die eine robuste Schaltung und thermische Beständigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,084 Ω reduziert Leitungsverluste
• 35 W Verlustleistung unterstützt mäßige thermische Belastung
• 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Vgs-Bewertung ±30 V für robuste Gate-Drive-Toleranzen
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,084 Ω reduziert Leitungsverluste
• 35 W Verlustleistung unterstützt mäßige thermische Belastung
• 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Vgs-Bewertung ±30 V für robuste Gate-Drive-Toleranzen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Schaltnetzteile in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Prototypen- und Reparaturarbeiten an älteren Stromversorgungssystemen
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Schaltnetzteile in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Prototypen- und Reparaturarbeiten an älteren Stromversorgungssystemen
Welche Montageart ist erforderlich, und wie wirkt sich das auf die thermische Handhabung aus?
Es verwendet ein TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das das Verschrauben an einen Kühlkörper ermöglicht, um die Wärmeableitung zu verbessern und die Leiterplattenmontage zu erleichtern.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?
Entwickeln Sie den Treiber so, dass er genügend Ladung für die typische Gate-Ladung von 63 nC liefert, um die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten zu erreichen und gleichzeitig eine übermäßige Gate-Spannung in der Nähe der Grenze von ±30 V zu vermeiden.
Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erheblichen thermischen Schwankungen bei gleichbleibender elektrischer Eigenschaften.
Welche Vorwärtsleitcharakteristik ist für Diodenleitpfade relevant?
Die Spezifikation für die Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was Verlustberechnungen informiert, wenn bei Schaltvorgängen oder Rückstromereignissen eine Leitung der Gehäusediode auftritt.