Vishay SIA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 31 A 19.2 W, 7-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 279-9901
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIA4446DJ-T1-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | SIA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.011Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie SIA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.011Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
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