Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 8.4 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 1.780,00

(ohne MwSt.)

€ 2.135,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 2 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,712€ 1.780,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9894
Herst. Teile-Nr.:
SI4190BDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SI

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.093Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Maximale Verlustleistung Pd

8.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links