Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 740,00

(ohne MwSt.)

€ 887,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,296€ 740,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7550
Herst. Teile-Nr.:
SPD04P10PLGBTMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SPD04P10PL G

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

850mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.94V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

40 mm

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.

Logikpegel

RoHS-konform

Erweiterungsmodus

Pb-freie Bleibeschichtung

Verwandte Links