Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220

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RS Best.-Nr.:
273-7457
Herst. Teile-Nr.:
IPA600N25NM3SXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

PG-TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet und nach JEDEC-Standard qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Hervorragende Gate-Ladung

Sehr niedriger Durchgangswiderstand

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