Infineon BSL606SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.5 A 2 W, 6-Pin PG-TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 273-2853
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL606SNH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2853
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL606SNH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TSOP-6 | |
| Serie | BSL606SN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TSOP-6 | ||
Serie BSL606SN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 40 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET von Infineon mit 60 V im TSOP-6-Gehäuse ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich LED-Beleuchtung, ADAS, Gehäuse-Steuereinheiten, SMPS und Motorsteuerung geeignet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform und halogenfrei
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