Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.6 A 80 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-2832
Herst. Teile-Nr.:
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-18.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

SPD18P06P G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.33V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Breite

40 mm

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus. Die Betriebstemperatur liegt bei 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß der Norm AEC Q101 qualifiziert.

RoHS-konform

Auf Lawinendurchbruch getestet

Bleifreie Beschichtung

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